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汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

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英尚微电子 发布于 2019年12月27日 (共有0个回帖)

汽车动力总成模块使用闪存技术在断电(保持活动内存(KAM)和非易失性内存(NVM))期间保留重要的控制和诊断信息。复杂的软件必须设计为最大化这些设备的生命周期,因为它们的写入周期数量有限。
 
MRAM(磁阻式随机存取存储器)具有消除这种复杂性的潜力,并使KAM和NVM的管理过程更轻松,更强大。板载MRAM器件与下一代动力总成微处理器一起使用。创建了集成了最新动力总成微控制器,everspin MRAM MRA16A(2个x16位)和MR2xH50(@ SCK 40MHz)芯片的原型板。
 
汽车工业正在引入新的非易失性存储器,例如mram芯片,相控存储器(PCRAM)和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条件期间提供了存储和检索数据方面的改进。动力总成控制研究与发展(PCRA)团队与Everspin和微控制器供应商合作,使用下一代动力总成控制器快速构建外部MRAM的原型。


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非易失性存储器
当前,引擎控制单元(ECU)使用非易失性存储器(NOR FLASH)来存储日志记录数据(DFLASH)。数据存储在DFLASH中,并在点火钥匙关闭(或称为KO(钥匙关闭))后记录。该数据用于完善用于控制传动系统的算法的系数,并确定传感器输入是否已超过预定极限。必须存储非易失性数据(例如,在发动机和车辆组装期间从条形码读取中捕获的单个喷油器微调数据,变速箱电磁阀特性数据以及永久性P代码等)。 KAM类型的数据(例如自适应表)需要在密钥循环后保留,但是如果丢失,可以重新使用。
 
DFLASH和当前发行的限制银行掉期操作是当前DFLASH的限制。将非易失性数据写入DFLASH需要花费几秒钟的时间。当发生存储区交换时,D-Flash的未使用存储区将被删除,在已删除存储区上建立文件系统,最后将搜索旧存储区以找到最新数据,然后将其复制到新存储区中。在发生大多数问题的银行掉期过程中,密钥有足够的时间重新出现。在不同的应用程序版本和车辆类型之间,以这种方式支持的NVRAM数据结构的数量和大小可能会有所不同。更新请求的频率是可变的,某些情况是基于特定事件的发生(例如,车辆配置信息已更改或需要存储新的诊断事件)。

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